طراحی یک تقویت کننده توان کلاس F در فرکانس 2.14GHz

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 910

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NAECE01_018

تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1395

چکیده مقاله:

تقویت کننده های توان یک بخش کلیدی در هر فرستنده هستند، که پرمصرف ترین بلوک فرستنده می باشند. تقویت کننده توان المان اصلی برای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد. برای حداقل کردن تداخل و طیف رشد ترانزیستورها باید خطی باشند تقویت کننده مدار پیشنهادی با استفاده از نرم افزار ADS Agilent بر مبنای تکنولوژی GaAs-PHEMT با نام MRFG 35010 ساخت شرکت MOTOROLA است. تقویت کننده توان پیشنهادی با استفاده از کلاس F در فرکانس مرکزی 2.14GHz با توان خروجیdBm 36 طراحی شده است.

نویسندگان

ریحانه کامروا

گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان

شعبان رضایی برجلو

گروه برق ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • David Schmelzer, Student Member, IEEE, and Stephen I. Long, Senior ...
  • _ _ _ _ MICROWAVT THEORY AND TECHNIQUES _ VOL. ...
  • _ _ _ _ _ International Jourmal of Scientific & ...
  • _ _ _ _ Power- Combining and InverseClass-f GaN Power ...
  • HEMT GaN- HEMT CGH40 015F GaN- HEMT CGH40 010F GaN- ...
  • نمایش کامل مراجع