مطالعه عددی اثرکرنش تک محوری برمشخصات الکتریکی ترانزیستورهای بدون پیوندمبتنی برنانولوله کربنی

اولین مطالعههای عددی بر روی ترانزیستور بدون پیوند مبتنی بر نانولولهکربنی نشان دادند که چنین افزارهای در مقایسه با ترانزیستور بدون پیوند سیلیکنی، در ابعاد مشابه و با پیکربندی گیت کواکسیال، جریان روشناییبیشتری تولید مینماید، با این حال به دلیل گاف نوار انرژی کوچکتر و اثرات حاصل از محدودیتهای کوانتومی، در حالت خاموشی، نتایج ضعیفتری را از خود نشان میدهد. با توجه به آن که تغییر گاف نوار انرژینانولوله کربنی، یکی از نتایج حاصل از اعمال کرنش تک محوری است، در این مقاله با تمرکز بر روی این نوع کرنش، اثر اعمال آن را بر مشخصات الکتریکی ترانزیستور بدون پیوند مبتنی بر نانولولهکربنی با استفاده از روالشبیهسازی تابع گرین غیر تعادلی مورد بررسی قرار داده و نتایج مربوط به جریانهای حالت روشن و خاموش، نسبت جریان روشنایی به خاموشی، تأخیر ذاتی، حاصلضرب توان در تأخیر و همچنین پارامترهای موثر درکاربردهای آنالوگ از جمله فرکانس بهره واحد، ترارسانایی گیت و مقاومت خروجی افزاره را مورد تحلیل و بررسی بیشتر قرار خواهیم داد. نتایج نشان میدهند که کرنش تک محوری تأثیرات قابل توجهی بر روی مشخصات الکتریکی افزاره داشته و با توجه به کاربردهای متنوع برای این ترانزیستور، میتوان از آن برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور به منظور استفاده در کاربردهای خاص استفاده نمود

کلیدواژه ها:

ترانزیستور بدون پیوند ، نانولوله کربنی ، کرنش طولی ، تابع گرین غیرتعادلی