اندازه گیری میزان لایه نشانی در مقیاس نانومتر
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 937
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_098
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
با توجه به افزایش روزافزون گرایش به فناوری نانو، ابعاد تراشه های الکترونیکی روز به روز در حال کاهش است، بنابراین ارائه روشی جهت تعیین دقیق میزان ضخامت آن ها دارای اهمیت علمی و صنعتی است. یک از روش های مورد توجه در این زمینه روش تبخیری است که دارای مزایایی از قبیل آهنگ انباشت بالا و سهولت اجرا می باشد. در این تحقیق اندازه گیری ضخامت لایه های نشانده شده به روش تبخیری جهت لایه نشانی مواد بر زیر لایه کوارتز انجام می پذیرد. سپس با استفاده از عبور جریان از یک المنت، دما بالا رفته و به این ترتیب ماده ای که بر روی المنت قرار دارد تبخیر می شود. ماده تبخیر شده بر روی سطح کریستال مسطح (QCM) نشسته و در انتها توسط مدارات واسط تغییرات ضخامت لایه های نازک، به تغییرات فرکانس تبدیل، سپس به کامپیوتر منتقل و نرخ رشد به نمایش گذاشته می شود. اعمال این روش بر روی یک نمونه آزمایشگاهی در خلاء نشان می دهد که اندازه گیری ضخامت لایه نشانی بر روی سطح کریستال مسطح با دقت چند نانومتر امکان پذیر می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهرداد انعامی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :