بررسی اثر تغییر لایه Cd_S بر عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS

در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختار Cu In1-xGax Se2 می پردازیم ،سلول خورشیدیCIGS شامل لایه های ZnO (لایه به TCO)؛ Cd_S (لایه بافر) ، CIGS (لایه جاذب) و لایه MO (زیر لایه) میباشد ، که لایه Cd_S و CIGS تشکیل یک پیوند PN می دهند. سپس با استفاده از نرم افزار SILVACO سلولخورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده و با تغییر ضخامت و ناخالصی لایه Cd_S اثر آن بر روی عملکرد سلول را موردبحث و بررسی قرار داده خواهد شد. پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژمدار باز (Voc) ، جریان اتصال کوتاه (Isc) ، ماکزیمم توان (Pmax)، عامل پر کننده (FF) و راندمان(Efficiency) می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده وبا تغییر ات انجام شده بر لایه Cd_S به این نتیجه رسیدیمکه ضخامت لایه Cd_S بر عملکرد سلول تاثیر محسوسی دارد و باعث تغییر راندمان ، ولتاژ مدار باز و جریان اتصالکوتاه و توان سلول می شود ، همچنین میزان ناخالصی نیز بیشتر بر راندمان سلول تاثیر دارد و لی بر دیگر فاکتورهای آنتاثیر چندانی نخواهد داشت البته اگر از یک مقدار خاص ناخالصی را بیشتر کنیم دیگر تاثیر چندانی بر راندمان سلولنخواهد داشت.