بررسی اثر تغییر لایه Cd_S بر عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 645
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC02_619
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختار Cu In1-xGax Se2 می پردازیم ،سلول خورشیدیCIGS شامل لایه های ZnO (لایه به TCO)؛ Cd_S (لایه بافر) ، CIGS (لایه جاذب) و لایه MO (زیر لایه) میباشد ، که لایه Cd_S و CIGS تشکیل یک پیوند PN می دهند. سپس با استفاده از نرم افزار SILVACO سلولخورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده و با تغییر ضخامت و ناخالصی لایه Cd_S اثر آن بر روی عملکرد سلول را موردبحث و بررسی قرار داده خواهد شد. پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژمدار باز (Voc) ، جریان اتصال کوتاه (Isc) ، ماکزیمم توان (Pmax)، عامل پر کننده (FF) و راندمان(Efficiency) می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده وبا تغییر ات انجام شده بر لایه Cd_S به این نتیجه رسیدیمکه ضخامت لایه Cd_S بر عملکرد سلول تاثیر محسوسی دارد و باعث تغییر راندمان ، ولتاژ مدار باز و جریان اتصالکوتاه و توان سلول می شود ، همچنین میزان ناخالصی نیز بیشتر بر راندمان سلول تاثیر دارد و لی بر دیگر فاکتورهای آنتاثیر چندانی نخواهد داشت البته اگر از یک مقدار خاص ناخالصی را بیشتر کنیم دیگر تاثیر چندانی بر راندمان سلولنخواهد داشت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هاشم فیروزی
دانشجوی ارشد مهندسی برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن ایمانیه
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :