طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با بازده بالا
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 780
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC02_076
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
با توجه به اینکه مصرف انرژی در جهان رو به افزایش است و منابع سوخت های فسیلی در حال اتمام هستند، از این روعلاقه به استفاده از منابع تجدیدپذیر از جمله انرژی خورشیدی رو به افزایش است.سلول های خورشیدی چند پیوندی بهدلیل اینکه طیف بیشتری از نور خورشید را جذب می کنند، نسبت به سلول های خورشیدی دیگر دارای بازده بیشتریهستند.از سوی دیگر سلول های خورشیدی سیلیکونی نیز برای مصارف زمینی به دلیل کم هزینه بودن و در دسترس بودنبا استفاده از نرم افزار InGaP/GaAs/Si از علاقه زیادی برخوردار هستند. در این مقاله سلول خورشیدی سه پیوندیسیلواکو طراحی و شبیه سازی شده است. که پس از تغییر ضخامت لایه ها و تغییر مواد بکار رفته در این سلول خورشیدی ولتاژ مدار باز ایده آل 3/05 ولت و جریان اتصال کوتاه ایده آل 14/41 میلی آمپر بر سانتی متر مربع و بیشترین بازده 38/55% به دست آمده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سینا عزیزی فر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن ایمانیه
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :