بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 936
فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON03_328
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
دزمتر اشعه ی گاما وسیله ایست که مقدار دز جذب شده توسط اشعه ی گاما را اندازه می گیرد و این سنسور مجتمع برای کاربردهای پرتوافکنی بالاو حساسیت کم مانند استریلیزاسیون خون استفاده می شود. در این مقاله یک دزمتر ماسفت اشعه ی گاما شامل یک ترانزیستور ماسفت گیت شناور که به عنوان سنسور عمل می کند و یک ترانزیستور مرجع اتصال گیت با هندسه ی یکسان درتکنولوژی 0.13 میکرومتر TSMC شبیه سازی می شوند. ترانزیستور گیت شناوردر مدارات با توان پایین استفاده می شود. دزمتری که در این مقاله استفاده شد از شیوه ی اندازه گیری دز کلی استفاده می کند. منبع اشعه ی گاما کبالت 60 است. دراینجا اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور که به عنوان حسگر استفاده می شود را بر روی حساسیت دزمتر بررسی کردیم. برای این منظور دزمتر را با نرم افزار HSPICE شبیه سازی واثر ضخامت های مختلف ترانزیستور گیت شناور روی حساسیت بررسی شد. درنهایت این نتیجه حاصل شدکه با افزایش ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور حداقل بهبود 25 درصدی حساسیت را شاهد هستیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرمین افشاری مقدم
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه برق، نیشابور، ایران
محمد جوایان صراف
گروه برق، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :