بررسی بهبود اندوکتانس و ضریب کیفیت ساخت سلف مجتمع در لایه های مختلف فلز در یک تکنولوژی مدارهای مجتمع استاندارد با زیر لایه سیلیکون

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,727

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE11_199

تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386

چکیده مقاله:

هدف از این مقاله بررسی ساخت سلف در لایه های مختلف فلزی در تکنولوژی های متداول ساخت مدارهای مجتمع به منظور رسیدن به کیفیت بالاتر می باشد. نتایج شبیه سازی با استفاد ه از شبیه ساز الکترومغناطیسی SONNET در این مقاله نشان داد که هرچه برای ساخت از لایه های فلز بالاتر استفاده شود به دلیل دور شدن سلف از زیر لایه پر تلفات ضریب و کاهش خازن پارازیتی بین سلف و زیر لایه کیفیت سلف بهبود پیدا می کند و فرکانس خود تشدید سلف نیز افزایش می یابد.

نویسندگان

نیما حسینی

موسسه آموزش عالی سجاد

مهدی اکبری نوقابی

موسسه آموزش عالی سجاد

هومن نبوتی

موسسه آموزش عالی سجاد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • H. Jiang, Y. Wang, J.-L. A. Yeh, and N. C. ...
  • Vijay K. Varadan, K. J. Vinoy, K. A. Jose, RF ...
  • Joachim N. Burghartz, and Behzad Rejaei, "On the Design of ...
  • S. J. Pan, L. W. Li, and W. Y. Yin, ...
  • نمایش کامل مراجع