بررسی عملکرد و مقایسه ساختار فناوری های پیشرفته SSOI و SGOI

ساختار SSOL و SGOL دو فناوری نوید دهنده برای ساخت ادوات الکترونیکی در ابعاد نانومتری به شمار می آیند. در ساخت ادوات CMOS ساختار SSOL ساده تر از ساختار SGOL می باشد ساختار SSOL که دارای کانال سطحی می باشد موجب افزایش قابلیت تحرک الکترون و حفره می گردد. البته چون قابلیت تحرک حفره، در این ساختار هنوز 4 تا5 برابر کمتر از قابلیت تحرک الکترون می باشد، راهکاری که برای افزایش قابلیت تحرک حفره پیشنهاد می شود استفاده از ساختار SGOL است. این ساختار قابلیت تحرک حفره را بطور چشمگیری افزایش می دهد اما فرایند پیچیده تری نسبت به SSOL دارد. با ساخت ادوات nMOS و (CMOS) pMOS روی بستر SGOL هم قابلیت تحرک حفره و الکترون مشخصه زیر استانه مفیدی نیز خواهیم داشت.

کلیدواژه ها:

سیلیسیم کششی ، SiGe - SSOI - SGOI ، قابلیت تحرک