مدل سازی روش جدید توان آلفا ترانزیستور MOS
محل انتشار: یازدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,707
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE11_174
تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386
چکیده مقاله:
مدل MOS توان آلفا به واسطه شبیه سازی شکل ریاضی و دقت آن گسترده ترین مدل فشرده جریان در این می باشد. این مدل ترکیبی ازمدل قانون توان آلفا و توان پایین می باشد . مدل MOS توان پایین تمام نواحی کاری را شرح می دهد و مدل قانون توان آلفا که یک مدل تجربی است، تنها ناحیه زیر آستانه را تشریح نمی کند. ترکیب این دو مدل موج ایجاد یک مدل فشرده مبتنی بر فیزیک MOS قانون توان آلفا می گردد. این مدل با در نظر گرفتن چندین عبارت از جمله تاثیر قابلیت تحرک و سرعت اشباع و شیب ولتاژ آستانه برای ارزیابی عملکرد مدار استفاده شده است و طرحی فشرده می باشد که در مجتمع سازی ادوات الکترونیکی کاربرد دارد. در این مقاله ضمن بررسی نواحی کاری ترانزیستور و رابطه جریان درین در هر ناحیه، با بکارگیری از نرم افزار مطلب مشخصه I-V یک نمونه ترانزستور رسم شده است. و نتایج آن با داده های اندازه گیری در مقالات مورد مقایسه قرار گرفته است. نتایج حاکی از این است که انتخاب مدل فشرده MOS توان آلفا مقادیر اندازه گیری شده را می برازاند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم نیری
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مهدیه نیری
عضو باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :