طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای ماسفتی با گیت چهارفلزی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 456

فایل این مقاله در 17 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEASCONF01_414

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای ماسفتی باگیت چهار فلزی ارائه شده است ترانزیستور mos بخش اصلی سیستمهای LSI می باشد نیاز به عملکرد بهتر و هزینه های کمتر در آینده منجر به کوچک سازی دستگاه می شود کوچک شدن ابعاد دستگاه منجر به کم شدن ضخامت دی الکتریک گیت sio2 تا کمتر از 1nm د رحال حاضر شده که خود باعث بروز مشکلاتی در فرآیند کوچک سازی ماسفتها مانند آثار کانال کوتاه و جریان نشتی می شود به منظور رفع این مشکلات از دی الکتریک گیت با k بالاتر و ضخیمتر و چهار فلز با توابع کاری تفاوت در گیت استفاده شده است در این روش طول فلزات گیت یکسان بوده و فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیکترین درین کمترین تاب کار را دارا می باشد در این تحقیق از شبیه سازی Atlas Silvaco device Simulator برای شبیه سازی استفاده سده است . در این تحقیق عملکرد ترانزیستور در حالت بدون پیوند و باگیت چهارفلزی و سه فلزی مورد مقایسه قرار گرفته است نتایج بیانگر آن است که در ترانزیستور با شعاع 1 نانو مترو ضخامت 1 نانو متر برای sio2 و ضخامت 3 نانو متر برای hfo2 و ضخامت 2 نانومتر گیت برای حالت چهار فلز و بدون پیوند افزایش شعاع نانوسیستم باعث افزایش DIBL و افزایش ضخامت Hfo2 باعث کاهش DIBL می شود. ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

ماسفت بدون پیوند ، نانوسیی سیلیکنی ، تمام اطراف گیت استوانه ای ، گیت چهارفلزی

نویسندگان

اکرم نصرآبادی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نیشابور گروه مهندسی برق نیشابور ایران

محمد جوادیان صراف

دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد گروه مهندسی برق مشهد ایرن

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • نانومترو ضخامت Sio2نانومتربرای 1 و ضخامت ...
  • Miyuki Kouda, Master thesis 2009 , AGuideline forMaterial Design of ...
  • ITRS, New York, The International Technology Roadmap for S emiconductors, ...
  • Chen M-L, Lin W-K, Chen S-F. A new two -dimensional ...
  • Linin. Zhang, Chenyue Ma, Jin He, Xinnan Lin, Mansun Chan, ...
  • M.A. Abdi, F. Djeffal, Z. Dibi, D. Arar, A two ...
  • Dheeraj Sharma, Santhosh Kumar Vishvakarma, Analytical modeling for 3D potential ...
  • Santosh Kumt Gupta, Achinta Baidya and S. Baishya . _ ...
  • Prashant Dixit, 2Mohini Preetam Singh and 3Vivek Gupta _ Study ...
  • P. Suve ethaDhanas elvam a, c, n, N.B .Balamurugan a, ...
  • Jin X-S, Liu X, Hyuck-In K, Jong-Ho L. A continuous ...
  • Cong Li _ Yiqi Zhuang , Ru Han , Gang ...
  • نمایش کامل مراجع