معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی برای کاهش جریان نشتی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 885

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0287

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با گیت دوقلو (TG-CNTFET) برای کاهش نشتی پیشنهاد و شبیه سازی شده است. گیت این ساختار شامل دو بخش، یکی در نزدیکی سورس و دیگری در نزدیکی درین است زیر نواحی گیت ها در کانال ناخالصی نوع p تزریق شده است. برای مطالعه مشخصات افزاره، حل خودسازگار از معادله پواسون- شرودینگر دو بعدی، با فرمول تابع گرین نامتعادل (NEGF) ارائه و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد در مقایسه با ساختار پایه، TG-CNTFET به دلیل کاهش تونل زنی باند به باند، جریان نشتی را کاهش می دهد و نسبت به جریان روشن به خاموش را افزایش می دهد. علاوه بر این، ثابت کرده ایم که ساختار پیشنهاد شده در مقادیر متفاوت طول کانال، عملکرد بهتری از نظر تاخیر کلید زنی و حاصلضرب تاخیر در مصرف توان (PDP) از خود نشان داده است و اعمال این ساختار منجر به بهبود چشمگیری در این دو مشخصه مهم افزاره شده است. همچنین به دلیل وجود دو هاله ناخالصی در کانال ساختار پیشنهاد شده، آن را با ساختار CNTFET دو هاله ای با جریان اشباع برابر مقایسه کرده ایم و برتری های ساختارهای پیشنهاد شده را نسبت به آن نشان داده ایم.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ، تابع گرین نا متعادل (NEGF) ، گیت دوقلو ، جریان نشتی ، تاخیر کلید زنی ، حاصلضرب تاخیر در مصرف توان (PDP) ، طول کانال

نویسندگان

مرجان سنگیان

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

پرویز کشاورزی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

زهرا جمال آبادی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • P. Avouris, "Molecular electronics with carbon nanotubes, " Accounts of ...
  • S. K. Sinha and S. Chaudhury, "Advantage of CNTFET characteristic ...
  • _ Guo and M. Lundstrom, "Role of phonon scattering in ...
  • M. Fuhrer, M. Forero, A. Zettl, and P. L. McEuen, ...
  • F. Kreupl, "Advancing CMOS with carbon electronics, " in Design, ...
  • _ Appenzeller, Y.-M. Lin, J. Knoch, and P. Avouris, 22 ...
  • A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, D. ...
  • S. o. Koswatta, M. S. Lundstrom, M. Anantram, and D. ...
  • Nan otechnology, IEEE Tronsoctions on, vol. 13, pp. 176-181, 2014. ...
  • S. Heinze, J. Tersoff, and P. Avouris, "Electrostatic engineering of ...
  • M. Radosavljevic, S. Heinze, J. Tersoff, and P. Avouris, "Drain ...
  • Guo, S. Datta, and M. Lundstrom, "A numerical study of ...
  • I. Hassaninia, M. H. Sheikhi, and Z. Kordrostami, "Simulation of ...
  • A. Chaudhry and M. J. Kumar, "Controlling short-channel effects in ...
  • Guo, S. Datta, M. Lundstrom, and M. Anantam, "Toward multiscale ...
  • quantum mechanical modeling of na notransistors, " Journol of Applied ...
  • P. Clifford, D. John, L. C. Castro, and D. Pulfrey, ...
  • Complex band structure effects, " Journol of opplied physics, vol. ...
  • Z. Arefinia, "Investigation of the performance and band-to-band tunneling effect ...
  • A. Svizhenko, M. Anantram, T. Govindan, B. Biegel, and R. ...
  • T.-S. Xia, L. Register, and S. Banerjee, "Quantum transport in ...
  • S. Datta, "Nanoscale device modeling: the Green's function method, " ...
  • نمایش کامل مراجع