شبیه سازی بایو آمپلی فایر با قابلیت توان و بهبود نسبت حذف مد مشترک براساس تکنولوژی CMOS ( نود نانومتر )
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 587
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0223
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله هدف طراحی یک تقویت کننده توان پایین با پارامترهای قابل تنظیم برای کاربرد در سیستمهای بایو است. قابلیت توان پایین، سرعت بالا و نویز پذیری از مهمترین مشخصات تقویت کننده های بایو در تکنولوژی CMOS محسوب می شود. نتایج شبیه سازی تقویت کننده پیشنهادی در تکنولوژی 90 نانومتر نشان می دهد که شاخص های کارآیی تقویت کننده از جمله سرعت، توان مصرفی، فرکانس قطع پایین و بهره در مقایسه با دیگر تکنولوژی ها از کارآیی بهتری برخوردار است. نتایج حاصل از شبیه سازی در تکنولوژی 90 نانو بهبود فرکانس بهره واحد 126%، CMRR به میزان 123.35% و کاهش مصرف را به میزان 75.3 در مقایسه با تکنولوژی 0.35 میکرومتر نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی عالی
دانشجوی کارشناسی ارشد
مهدی پیرمرادیان
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر، دانشکده فنی مهندسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :