طراحی و شبیه سازی تقویت کننده فوق توان پایین قابل پیکربندی مبتنی بر تکنولوژی CMOS

در این مقاله یک نمونه تقویت کننده بایو با توان مصرفی پایین در تکنولوژی مبتنی بر cmos، 90nm طراحی و شبیه سازی می شود. شاخص های ارزیابی شامل بهره، توان مصرفی، نویز می باشد نتایج شبیه سازی در محیط secip نشان می دهد که بهره میانی 34/3Bd و نسبت حذف آفست DC برابر با 104/3 دسی است، علاوه بر آن تغییر مقاومت های ورودی تقویت کننده از 100 اهم تا 1000 اهم، بهره میانی تقویت کننده برابر 34/1- 36/3- 43/8- 53/5 می شود. ضریب راندمان نویز برابر 1/58 و توان مصرفی کلی برابر با 1/74 میکرو وات است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ، فوق توان پایین ، قابل پیکربندی ، تکنولوژی cmos