طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی 0.18μm CMOS
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 493
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0058
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده کم نویز فوق باند توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی 10.6-3.1 GHZ که با تکنولوژی TSMC0.18μm شبیه سازی شده است را شرح می دهد. با به کارگیری سلف در گیت ترانزیستور پهنای باند گسترش می یابد و تکنیک حذف نویز برای افزایش بهره مدار به کار می رود. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره 11.8dB، تطبیق امپدانس ورودی کمتر از 10dB-، مینیمم عدد نویز 3.5dB را نشان می دهد. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی 22mw توان به ازای منبع تغذیه 1.8v مصرف می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میثم عظیمی روئین
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات خراسان شمالی
عباس گلمکانی
استادیار دانشگاه صنعتی سجاد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :