مطالعه خازن های لبه ای در نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه

این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصه های الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG-SOI MOSFET) در ناحیه زیرآستانه می پردازد. شبیه سازی های انجام شده نشان می دهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایشخازن موثر گیت (CG,eff) می شود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد؛ ابن امر ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر کاهش ضخامت بدنه می باشد. با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD،LS)، خازن لبه ای (CFringe) کوچک می گردند . در نتیجه (CG,eff) کاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان - ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند. بررسی های انجام شده بر طول ناحیه ناهمپوشانی گیت (Lun) حاکی از آن است که افزایش Lun باعث کمتر شدن (CG,eff) و اثر کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین (DIBL)، و نیز افزایش نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزاره (ION/IOFF) می شود.

کلیدواژه ها:

افزاره DG-SOI MOSFET ، خازن های لبه ای ، مشخصه الکتریکی ، مقیاس نانو ، ناحیه زیر آستانه