معرفی روش نوین ساخت نانوسیستم های سیلیکانی با تکنیک لایه برداری عمودی در حضور پلاسمای هیدروژن

روش نوینی برای ساخت نانوساختارهای سیلیکانی بر روی زیر لایه سیلیکان ارائه شده است. این تکنیک بر مبنای لایه برداری عمودی از سیلیکان در حضور پلاسمای هیدروژن است که جزو روش های "بالا به پاییین" می باشد. پس از لایه نشانی نیکل به عنوان نقاب، آن را با استفاده از روش PECVD، توسط هیدروژن بمباران می کنیم تا جزیره های نانومتری نیکل تشکیل شود. سپس زیرلایه ی سیلیکان، با تکرار متوالی دو مرحله ی اکسید کردن و لایه برداری در حضور گاز SF6، به صورت عمودی خرده شده و نانوسیستم های سیلیکانی ساخته می شوند. ما توانستیم با استفاده از این روش، نانوسیستم های سیلیکانی با قطر بین 100 الی 600 نانومتر و طول بیش از 15 میکرومتر را بسازیم.

کلیدواژه ها:

نانوسیم ، لایه برداری عمودی ، نانو ساختارهای سیلیکانی ، خوردگی یونی با پلاسما