بررسی تاثیر لایه روکش (cap) بر مقاومت سورس ترانزیستور HFET ساخته شده با AlGaN-GaN
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,644
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_338
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
چکیده مقاله:
در این مقاله یک نوع ترانزیستور پیوند ناهمگن (HFET) از نوع AlGaN-GaN با مقاومت سورس فوق العاده کوچک بوسیله روکش (SL(super lattice مورد بررسی قرار می گیرد. مزیت های ویژه لایه روکش SL و داشتن پولاریزاسیون لایه های چندتایی، باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی (2DEG) با تمرکز زیاد در مرزهای AlGaN-GaN می شود و در ضمن سد پتانسیل در مرز لایه روکش sL و سد پتانسیل HFET کاهش یافته و مقاومت سورس نیز به طور نسبتا خوبی کاهش می یابد. با طراحی نسبت ضخامت AlGaN-GaN روشی را برای به دست آوردن ساختار بهینه لایه روکش sL برای رسیدن به مقاومت سورس فوق العاده کوچک 1.0994 Ω.mm پیشنهاد داده ایم. برای شبیه سازی از حل کننده همزمان پواسون - شرودینگر استفاده کردیه ایم.
کلیدواژه ها:
پولاریزانسیون ، ترانزیستور اثر میدان پیوند ناهمگن AlGaN-GaN ، لایه روکش SL ، مقاومت سورس ، حل کننده همزمان پواسون-شرودینگر ، گاز الکترون دو بعدی (2DEG)
نویسندگان
محمد صادق پیشوایی
دانشگاه آزاد تهران مرکز
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
احسان عطائی پور
دانشگاه آزاد تهران مرکز
عقیل باجلان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :