مدل سازی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی گیت های فلزی و پلی سیلیکون در افزاره های نانومتری SOI و روند تغییرات آنها با ضریب دی الکتریک

در این مقاله اثر خازن حاشیه ای خارجی و داخلی گیت فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است. با استفاده از یک مدل تحلیل نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد. در ضمن با بررسی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی پلی سیلیکون روند تغییرات آن با تغییر ضریب دی الکتریک بررسی شده است. ما نشان داده ایم که خازن حاشیه ای کل به ازاء مقدار ضریب دب الکتریک مناسب مینیمم می گردد.

کلیدواژه ها:

خازن حاشیه ای ، SOI ، ضریب دی الکتریک ، گیت فلزی و پلی سیلیکون