بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری

کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی، بویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 65nm، چالشهای قابلیت اطمینان و حفظ سطح کارایی مطلوب در طول عمر قطعات تجاری را تشدید نموده است. مهمترین دغدغه قابلیت اطمینان در فرآیندهای نانومتری نوین، بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس (BTI) است. این مقاله به بررسی این مشکل می پردازد و در فرآیندهای نانومتری با ترانزیستورهای سنتی (bulk CMOS)، ترانزیستورهای high-k/metal-gate و نیز فرآیندهای FinFET به تحلیل آن می پردازد و در نهایت روشهای مقابله با این پدیده مطرح می شوند.

کلیدواژه ها:

بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس ، فرآیندهای نانو متری ، قابلیت اطمینان