یک تقویت کننده کمنویز دیفرانسیلی محدوده گیگاهرتز یکپارچه بهبود یافته
محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_008
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک توپولوژی نوین low noise amplifier دیفرانسیلی با figure of merit و همچنین مصرف توان بهبود یافته ارائه شده است. این روش بر اساس یک طرح ترانسکانداکتوری جدید با قابلیت طراحی آسان است، که در آن، مسیر جریانهای ac و dc عبوری از سلفهای خطی ساز و بایاسینگ مدار از هم جدا شده اند. کاربرد توپولوژی پیشنهادی در طراحی ساده یک low noise amplifier دیفرانسیلی یکپارچه از نوع cmos در محدوده فرکانسی گیگاهرتز بررسی شده است. برای ارزیابی طرح پیشنهادی و مقایسه آن با کارهای اخیر، از نتایج شبیه سازی با استفاده از کیت طراحی CMOS 180nm TSMC RF استفاده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رسول آجرلو
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند
حمیدرضا صدرمنوچهری نائینی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند