طراحی تقویت کننده کم نویز دو طبقه برای کاربردهای فرا پهن باند

تقویت کننده کم نویز (LNA) یکی از اجزای اساسی در سیستم های فرا پهن باند است. در این مقاله با استفاده از توپولوژی فیدبک مقاومتی با تکنیک حذف نویز یک تقویت کننده کم نویز بدون سلف در تکنولوژی 0.18μm CMOS طراحی می شود. در این مقاله از یک ساختار بدون سلف پسیو استفاده می گردد. ابتدا نتایج شبیه سازی و عملکرد تقویت کننده ی فرا پهن باند معمولی و بدون سلف بررسی می شود. سپس مداری بدون سلف پسیو برای تقویت کننده کم نویز پیشنهاد می گردد تا پهنای باند بالاتر و نویز کمی داشته باشد. مدار پیشنهادی دارای یک سلف فعال می باشد که با استفاده از ترانزیستور طراحی گردیده است. تقویت کننده دارای توان مصرفی 16.11mW با منبع تغذیه 1.5V بهره ولتاژ 18dB عدد نویز مینیمم 1.324dB و پهنای باند 9GHZ می باشد.

کلیدواژه ها:

بهره ولتاژ ، تقویت کننده کم نویز ، تقویت کننده بدون سلف ، عدد نویز