مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 4، شماره: 4
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 460
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-4-4_008
تاریخ نمایه سازی: 17 فروردین 1395
چکیده مقاله:
یک مدار مرجع ولتاژ CMOS بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع PMOS و دو ترانزیستور از نوع NMOS ارائه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المان های پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. جهت بهبود نسبت حذف نویز تغذیه ( PSRR ) در بخش بایاس از یک مدار بایاس با وابستگی کم به تغییرات تغذیه استفاده شده است. جریان مصرفی این مرجع ولتاژ 154 نانو آمپر در ولتاژ تغذیه 3/3 ولت می باشد و ولتاژ مرجع 27 / 1 ولت را ایجاد می کند. ثابت دمایی این مرجع ولتاژ 59ppm/Cمی باشد. مقدار نسب حذف نویز تغذیه در فرکان سهای 100Hz و 10MHz به ترتیب 92dB و66dB می باشد. این مرجع ولتاژ یک ولتاژ ثابت به منظور استفاده در کنار رگولاتور ایجاد می کند و با توجه به مشخصات گفته شده، مناسب استفاده در کارت های هوشمند بدون تماس می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه یوسفی
کارشناس ارشد برق الکترونیک، دانشگاه شاهد
محسن جلالی
استادیار دانشکده فنی، دانشگاه شاهد