طراحی و شبیه سازی تقویت کننده RGC با پهنای باند 9GHz و بهره 60dB.Ω در تکنولوژی 0/18μm برای سیستم های مخابرات نوری

ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی بسیار کمی که ایجاد می کند در لینک های نوری برای خنثی کردن اثر ظرفیت پارازیتی حسگر های نوری در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی باند پهن مورد استفاده قرار میگیرد. در این مقاله پس از مطالعه و تحلیل ساختار RGC ، یک ساختار بهبود یافته از آن ارائه می شود. این ساختار در تکنولوژی CMOS 0/18 μm طراحی و با نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که این ساختار بهره 60 dB.Ω را در پهنای باند 9 GHz ایجاد می کند. با چنین پهنای باندی میتوان از این ساختار در سیستم های مخابرات نوری که براساس پروتکل SONET OC-192 کار می کنند استفاده کرد. همین طور این نتایج نشان می دهند که در مقایسه با طراحی های مشابه، این ساختار حاصل ضرب بهره در پهنای باند بالاتری را فراهم میکند. به طوری که نیازی به طبقات بهره اضافه که معمولا در طراحی تقویت کننده های امپدانس انتقالی به دنبال ساختار RGC به کار گرفته می شوند نخواهد بود. بنابراین هم توان مصرفی و هم چگالی طیفی نوفه ارجاع شده به ورودی تقویت کننده کاهش خواهد یافت.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده امپدانس انتقالی ، ساختار RGC ، حاصل ضرب بهره در پهنای باند ، تقویت کننده بازخورد ، صافی های نردبانی