A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 636

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MAARS01_445

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394

چکیده مقاله:

An extensive discussion on the High-k Metal Gate (HKMG) Stack interlayer based-SiO2 for CMOS applications has been reviewed in this paper. The implementation of high-k oxides is a developing strategy to allow more miniaturization of microelectronic components. However, many issues remain to be resolved in the terms of implementation and process integration. One of this challenges is silica (SiO2) interlayer between silicon substrate and high-k oxides that prevent from continue scaling to lower equivalent oxide thicknesses (EOTs). Some techniques to trade these challenges off are investigated andpresented in this work.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

Saeed Mohsenifar

Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran

M.H. Shahrokhabadi

Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • k materials-A review, " Materials Science and Engineering: R: Reports, ...
  • P. Gargini, "The Roadmap to Success: 2013 ITRS Update, " ...
  • k/Metal-Gated Devices to Advanced CMOS Technologies, " in Solid State ...
  • S emic onductors 2013 Edition, " [Online]. Available: www.itrs.net. [Accessed ...
  • binary oxides for alternative gate dielectrics in _ omplementary metal- ...
  • formation mechanisms in atomic layer deposition of gate oxides, " ...
  • Ho, I. Baumvol and F. C. Stedile, "Enhanced initial growth ...
  • march 2013. [Online]. Available: http : //www. ewh. ieee. org/r6/s ...
  • vibrational, and lattice dielectric properties of hafnium oxide, " Physical ...
  • Optical and electrical charac terization of hafnium oxide deposited by ...
  • ultrathin zirconium oxide layers _ Si(001), " Applied Physics Letters, ...
  • Linder, K. Zhao, F. Monsieur, J. Stathis and V. Narayanan, ...
  • Interfacial Layer Scavenging?, " Materials , vol. 5, no. 3, ...
  • Narayanan, "Physical origins of mobility degradation in extremely scaled SiO2/HfO2 ...
  • Narayanan, "Aggressive SiGe Channel Gate Stack Scaling by Remote Oxygen ...
  • نمایش کامل مراجع