A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process
محل انتشار: همایش یافته های نوین در هوافضا و علوم وابسته
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 636
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MAARS01_445
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
چکیده مقاله:
An extensive discussion on the High-k Metal Gate (HKMG) Stack interlayer based-SiO2 for CMOS applications has been reviewed in this paper. The implementation of high-k oxides is a developing strategy to allow more miniaturization of microelectronic components. However, many issues remain to be resolved in the terms of implementation and process integration. One of this challenges is silica (SiO2) interlayer between silicon substrate and high-k oxides that prevent from continue scaling to lower equivalent oxide thicknesses (EOTs). Some techniques to trade these challenges off are investigated andpresented in this work.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Saeed Mohsenifar
Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran
M.H. Shahrokhabadi
Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :