طراحی سوئیچ خازنی RF MEMS با خم تاخورده و غشا طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک

در این مقاله یک ساختار جدید برای سوئیچ های RF MEMSجهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است. شارژ دی الکتریک ناشی از ولتاژ تحریک بالا یکی از دلایل ضعف سوئیچ های خازنی است از آنجا که اصلی ترین مشکل در سوئیچ های RF MEMSولتاژ تحریک بالا می باشد. نشان خواهیم داد که با طراحی سوئیچ با پل معلق خازنی باخم تا خورده و غشا طلا به کاهش ثابت فنری و در نتیجه به ولتاژpull-in کمتری دست خواهیم یافت. این ساختار باعث افزایش شتاب خمش و کاهش ثابت فنری در پل می شود. در کنار ساختار جدید خم تا خورده، از آلیاژ طلا در غشا استفاده شده که نه تنها باعث کاهش مدول یانگ در پل می شود بلکه افزایش رسانایی بیشتری نسبت به مس و آلومینیوم دارد. به همین دلیل به صورت کارآمدی باعث کاهش ولتاژ تحریک سوئیچ می شود. همچنین پیشنهادات فوق با نرم افزار المان محدود(EFA) HFSS Intellisuite شبیه سازی شده اند.

کلیدواژه ها:

ساختار خم خورده ، سوئیچ های RF MEMS ، غشاء ، ولتاژ تحریک