تاثیر انواع مکانیزم های شکست برروی قابلیت اطمینان مدارهای آنالوگ

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 690

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MAARS01_141

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394

چکیده مقاله:

امروزه با توجه به روند توسعه تکنولوژی ساخت نیمه هادی، کاهش مقیاس تکنولوژی، کاهش سطوح ولتاژ و افزایش پیچیدگی سیستم ها، مسئله قابلیت اطمینان و مقاوم بودن سیستم های الکترونیکی در برابر شکست های مختلف، به نگرانی اصلی فعالان این حوزه تبدیل شده است. به طور مثال در زمینه های فضایی که یکی از پر کاربردی ترین مسائل روز دنیا به شمار می آیند، تشعشات یکی از عامل شکست بسیار مهم برای مدارهای موارد استفاده، از جمله مدارهای انالوگ محسوب می شوند. بنابراین در این مدارات مفهوم قابلیت اطمینان و انواع مکانیزم های شکست و چگونگی تأثیرگذاری این عوامل بر روی قابلیت اطمینان بسیار دارای اهمیت است. با توجه به تحقیقات زیادی که در زمینه قابلیت اطمینان صورت گرفته است، بررسی و تحلیل عددی تأثیر مکانیزم هایی شکست برگ قابلیت اطمینان مدارات آنالوگ صورت نپذیرفته است. هدف ما در این مقاله کوشش این مفهوم به صورت کامل و جمع بندی انواع این مکانیزم ها می باشد.در این مقاله، به تحلیل قابلیت اطمینان مدارهای آنالوگ در برابر انواع مکانیزم های شکست می پردازیم. است در این راستا محاسبات عددی قابلیت اطمینان را مورد توجه قرار داد و مقایسه ای را قبل و بعد از اعمال و خطای ناشی از انواع مکانیزم های شکست بر روی مدار تحت ازمون که وارونگر CMOS می باشد،انجام میدهیم. شبیه سازی های انجام شده در HSPICE در تکنولوژی 45 نانومتر TSMC ارائه شده است.

نویسندگان

شیوا تقی پور

کارشناسی ارشد برق الکترونیک ،دانشگاه گیلان

عارفه حسین پور

کارشناسی ارشد برق الکترونیک ،دانشگاه گیلان

راهبه نیارکی اصلی

استادیار دانشگاه گیلان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • (1) L.A. Naviner, J.-F. Naviner, G.S. Gutemberg, et al.: "Reliability ...
  • (3) John H. Lienard IV _ " A Heat Transfer ...
  • (4) Chih-Yang Chen, Jam-Wem Lee, Shen-De Wang, et al.: "Negative ...
  • (5) Dieter K. Schroder: "Negative Bias Temperature Instability (NBTI) Physics, ...
  • (6) R.K. Mishra, A. Pandey, S. Alam : "Analysis and ...
  • (7) V. Huard et al. "Evidence for Hydro gen-Related Defects ...
  • (8) Matsumoto, Iwasaki, Sawada, and Otsuki: _ _ Disconnection of ...
  • (9) J. R. Lloyd: "Electro migration for Designers: An Introduction ...
  • (10) A. Dasgupta, R. Karri: "Electro migration Reliability Enhancement Via ...
  • (12) JEP122G: "Failure Mechanisms and Models for S emiconductor Devices. ...
  • (13) Takeda: :Hot carrier effect", Nikkei McGraw-Hil, Inc. 1987. ...
  • (14) T. H. Ning: "Hot-carrier Emission Currents in N-channel IGFET's, ...
  • (15) G. Groeseneken, R. Bellens, G. Van den bosch, et ...
  • (16) G. Groeseneken, R. Degraeve, T. Nigam, et al.: "Hot ...
  • (18) C. K. Hu, R. Rosenberg H. S. Rathore, et ...
  • نمایش کامل مراجع