مهندسی ساختار ترانزیستور های اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانو نوار گرافین

دراین مقاله با استفاده از آلایش الکتریکی قسمتی از ناحیه درین، ساختار اصلاح شدهای به منظور کاهش جریان خاموشی و اصلاح رفتارAmbipolarترانزیستورهای تونلی متعارف مبتنی بر GNRارائه شده است. ساختار جدید دارای دو گیت است. گیت اصلی وظیفه کنترل پتانسیل کانال را بر عهده دارد و گیت کناری دارای یک ولتاژ ثابت بوده و بر روی قسمتی از ناحیه درین قرار گرفته است. ناحیه ای از درین که گیت روی آن قرار گرفته، ذاتی بوده و آلایش این ناحیه به صورت الکتریکی از طریق گیت صورت میپذیرد. شبیه سازی در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیرتعادلیNEGF و در فضای مد انجام شده است. نتایج حاصله نشان می دهد که ساختار فوق از جریان خاموشی کمتر و نسبت جریان روشنی به خاموشی(ION/IOFF) بسیاربیشتری نسبت به ساختار متداول برخوردار است، ضمن آنکه سوئینگ زیرآستانه که از مشخصات مهم ساختارهای تونلی میباشد، خراب نشده است

کلیدواژه ها:

رفتار Ambipolar ، ترانزیستور اثر میدانی تونلی ، نانو نوار گرافین(GNR) ، تابع گرین گرین غیر تعادلی NEGF