تقویت کننده کم نویز با رویکرد افزایش خطینگی در پهنای باند بالا
محل انتشار: اولین همایش ملی علوم و فناوری های نوین ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 926
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PFCONF01_097
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله یک طراحی جدید روی ساختار تقویت کننده کم نویز صورت گرفته است. این مدار گستره ی فرکانسی 3 تا 11 گیگاهررتز راپوشش می دهد. افزایش خطینگی و کاهش نویز فیگر از چالش های اصلی تقویت کننده کم نویز می باشد. در این تحقیق با استفاده ازکاهش عوامل غیر خطی مانند g'm و g m در مدار و استفاده از قضیه جمع آثار، خطینگی مدار به شدت اصلاح شده است این درحالیست که نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طرح پیشنهادی دارای نویز فیگر مناسب نیز می باشد. همچنین برای کاهش مصرفتوان، تقویت کننده از ساختار استفاده مجدد از جریان بهره می برد. برای ارزیابی ساختار پیشنهادی، شبیه سازی ها در تکنولوژی CMOS ، TSMC0.18um با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت انجام شده است. نتایج شبیه سازی مقدار گین 10.5 تا 13.5 دسی بل، نویز فیگر (NF) برابر 1.6 تا 3.4دسی بل ، نقطه تقاطع مرتبه سوم به مقدار 5 دی بی، تطبیق ورودی وخروجی کمتراز منفی 5 دسی بل را نشان می دهد. از آنجایی کهروش های خطی سازی پیشنهاد شده توان چندانی به تقویت کننده اضافه نمی کنند، ساختار پیشنهادی دارای توان مصرفی برابر 12.5 میلیوات می باشد.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده کم نویز ، ساختار استفاده مجدد از جریان ، روش خطی سازی و فرکانس رادیویی
نویسندگان
وحید حیدرزاده
موسسه آموزش عالی صنعتی مازندران
حجت غنودی
دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :