طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز درسیستم های فرا پهن باند با توان مصرفی کم و با استفاده ازتکنولوژی TSMC 0.18μm CMOS

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسیجهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتیرا ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی درحدود نانوولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین بخش این گیرنده ها برای اینکه سیگنال را بدوناعوجاج عبور دهد، باید بهره توان بالا و عدد نویز پایینی داشته باشد. دراین مقاله یک تقویت کننده کم نویز، با توان مصرفیپایین در توپولوژی گیت مشترک مورد برسی قرارگرفته است و در باند فرکانس 10.6GHz3.1 گیگا هرتز، که با استفادهاز تکنولوژی TSMC CMOS 0.18μm شبیه سازی شده است. دراین مقاله برای کاهش مصرف توان از تکنیک استفادهمجدد جریان بهره گرفته ایم . درطبقه ورودی از گیت مشترک برای بدست اوردن تطبیق ورودی خوب استفاده کردایم ودرطبقه بعدی ازتوپولوژی سورس مشترک که نقش سازنده ای در افزایش بهره مدار دارد بهره برده و در نهایت درطبقه آخراز طبقه بافر استفاده کرده ایم. نتایج شبیه سازی مقدار گین 18.5 تا 20.7 دسی بل، نویز فیگر (NF) برابر 2.8 تا 3.6دسی بل و تطبیق ورودی وخروجی کمتراز منفی 10 دسی بل که مطلوب می باشد را نشان می دهد. به منظور کاهش توانمصرفی، ولتاژ تغذیه 1.4 ولت انتخاب شده است، که توان مصرفی برابر 3.9 میلی وات را داراست.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، نویز پایین ، توان مصرفی کم ، تکنیک استفاده مجدد جریان