بررسی اثر همشنوایی در ماسفت SOI

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 475

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PFCONF01_046

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

چکیده مقاله:

این مقاله به افزاره های سیلیکون روی عایق با بدنه های خیلی نازک پرداخته است. افزاره های سیلیکون روی عایق با بدنه خیلی نازکباعث کاهش اثرات کانال کوتاه و کاهش جریان نشتی و قابلیت خوب اسکیلینگ میشود و از طرف دیگر به دلیل نازک شدن فیلمسیلیکونی، مشکل خازن های پارازیتی و به دنبال آن مشکل همشنوایی افزایش می یابد و از طرف دیگر توزیع حرارت توسط نواحیسورس/درین کمتر میشود. بنابراین درجه حرارت فیلم نازک افزایش یافته و اثرات خود گرمایی به شدت افزایش می یابد و خودگرماییباعث کاهش عملکرد ماسفت سیلیکون روی عایق (نظیر کاهش موبیلیتی و کاهش جریان درایو و ...) می شود.

کلیدواژه ها:

اثر همشنوایی ، ماسفت سیلیکون روی عایق با بدنه خیلی نازک

نویسندگان

هستی عباسی

کارشناسی ارشد ، گروه برق ، دانشکده فنی مهندسی ، واحد کرمانشاه ، دانشگاه آزاد اسلامی ، کرمانشاه ، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • K.B. Ali, C.R. Neve1, A. Gharsallah, J.-P. Raskin "Efficient Polysilicon ...
  • _ _ Noise _ SOI Substrate", Sigmal Propagation On Interconnects ...
  • J. Ankarcrona, L. Vestling, K-H. Eklund and J. Olsson, «Efficient ...
  • M.Hammed, D.Schroder, "Analytical modeling of partially depleted soi mosfet" IEEE ...
  • Z.X.Zhang, Q.Lin, "A new structure of so mosfet for reducing ...
  • نمایش کامل مراجع