بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق

این مقاله یک طرح جدید برای ساختار ترانزیستورهای SOI.MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب خود گرمایی(Self Heating Effect) ارائه می دهد. ایده اصلی در این ساختار نوین، استفاده از ماده 4N3Si می باشد، که دارای هدایت گرمایی بیشترینسبت به دی اکسید سیلیسیم (2SiO(2) است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ساختار نوین باعث می شود که حرارت بیشتری بهلایه های زیرین انتقال یابد و سبب کاهش میزان دما و افزایش جریان درین در ترانزیستور می شود. همچنین تمرکز منافذ در کانال و زیرمنبع در ساختار نوین نسبت به ساختار متداول کمتر می باشد که باعث بهبود اثر بدنه شناور می شود. به کمک شبیه سازی سیلواکو،عملکرد این ساختار مرود تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، گالیم آرسینیک ، سیلیسیم نیترات