طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ چهارربعی مد ولتاژ CMOS در تکنولوژی 053 نانومتر با توان و ولتاژ مصرفی پایین در فرکانس های بالا
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 566
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_077
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ضرب کننده آنالوگ مد ولتاژ CMOS که می تواند در فرکانس های بالا با توان مصرفی کم و پهنای خطی زیاد کار کند، ارائه شده است. ساختار اولیه ضرب کننده پیشنهادی، شامل سلول های ترکیب کننده با استفاده از ترانزیستوری CMOS بوده و نتایج شبیه سازی به کمک نرم افزار Hspice در تکنولوژی nm 053 انجام گرفته است. توان مصرفی در حدود μw 5 . 42 با ولتاژ تغذیه 1 ولت به دست آمده است. فرکانس قطع مدار در حدود GHZ 2 می باشد. مدار دارای اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود % 1 بوده و در طرح پیشنهادی خطای خطی بسیار کم است. همچنین ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد به عنوان دوبرابرکننده فرکانس را نیز دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد ستوده نیاکرانی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
حلیمه نورمحمدی قاسم آبادی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :