بهینه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی برای کاربردهای فرکانس بالا

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 530

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM02_014

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلیNEGF رفتار فرکانس بالا ترانزیستورهای اثر میدانی نانولولهها ی کربن ی CNTFETs مورد بررسی قرار می گیرد. و پارامترهای مهم عملکرد فرکانس بالا، مانند خازن گیت

نویسندگان

مریم میراصانلوزیدی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی مهندسی واحدنور دانشگاه آزاد اسلامی نور ایران

رضا یوسفی

استادیار دانشکده فنی مهندسی واحدنوردانشگاه آزاد اسلامی نور ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A.E., Kim, J., Kim, J-h., Yeo, W-H., Joon Lee, D., ...
  • Chen, Li., Pulfrey, D.L, "Comparison of p-i-n and n-i-n carbon ...
  • Guo, S. Datta, M. Lundstrom, M.P. Anantam, Toward Multiscale Modeling ...
  • Balci, O., Kocabas, C., "High frequency performance of individual and ...
  • Alam, K., Lake, R., "Performance of 2nm gate length carbon ...
  • nanotube field-effect transistor wit source/drain underlaps", J Appl Phys, 2006, ...
  • Pulfrey, D.L., Chen, L., "Exammination of the h igh-frequency capability ...
  • Pourfath, M., Kosina, H., Cheong, BH., Park, WJ, Selberherr, S., ...
  • Guo, S. Datta, M.P. Anantram, M. Lundstrom, Atomistic simulation of ...
  • S. Datta, Electronic transport in mesoscopic systems, Cambridge University Press, ...
  • M.P. Anantram, M.S. Ludstrom, D.E. Nikonov, Modeling of Nanoscale Devices, ...
  • Y. Youngki, J. Guo, Y. Yoon, Analysis of Strain Effects ...
  • Zhibin Ren, NANOSCAL MOSFETS : PHYSICS , SIMULATION AND DESIGN, ...
  • K. Alam and R K. Lake, "Dielectric scaling of a ...
  • U. Monga, H. Bqrli, and T. A. Fjeldly, "Compact subthreshold ...
  • Zoheir Kordrostami and Mohammad Hossein Sheikhi (2010). Fundarmenta Physical Aspects ...
  • Yoon, Y. and Ouyang, Y. (2007). Gate Electrostatics and Quantum ...
  • Yu, Z., Rutherglen, C. and Burke, P. 1. (2006). Microwave ...
  • Guo, J., Hasan, S., Javey, A., Bosman, G. and Lundstrom, ...
  • Burke, P. J. (2004). AC performance of nanoelectron ics: towards ...
  • Yoon, Y., Yijian, O. and Jing, G. (2006). Effect of ...
  • Kordrostami, Z. and Sheikhi, M. H. (2009). High Speed Switching ...
  • نمایش کامل مراجع