تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره
محل انتشار: کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,027
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON01_0939
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1394
چکیده مقاله:
دراین مقاله، ما ترانزیستور تکالکترونی 1 ( SET ( مبتنی بر جزایر از جنس نقطهی کوانتومی 2 ( QD ( نیمههادی)سیلیکونی( رابرای عملکرد در دمای اتاق مدلسازی میکنیم و نشان میدهیم که کوچک شدن اندازه جزیره )کوچکتراز 11 نانومتر(درترانزیستور تکالکترونی 3 ( SET ( باعث میشود که این نانو ترانزیستور قابلیت استفاده در دمای اتاق را داشته باشد. بنابراین کوچک شدن اندازه جزیره نتایجی از قبیل گسسته شدن سطوح انرژی ) QD با سطوح انرژی گسسته( و همچنین اثر کوپل شدن 4 QD به اتصالات فلزی که سبب پهنشدگی سطوح انرژی میشود را در پی خواهد داشت که ما اثرات این دو پیامد را برعملکرد SET مورد بررسی قرار خواهیم داد. ما برای سطوح انرژی گسسته، مقادیر متفاوتی را در نظر گرفته و نشان خواهیم داد که نرخ جریان تونلزنی برای هر سطح انرژی متفاوت خواهد بود. در نتیجه برای بهدست آوردن این تفاوت در میزان نرخ تونل زنی، یک عبارت برای نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می آوریم و بر مبنای آن مشخصات هدایت مربوط به SET مبتنی بر QD سیلیکونی را شبیهسازی و مورد تحلیل قرار میدهیم و همچنین با استفاده از شبیهساز سیمون 5 ، مشخصات رسانایی را برای SET مورد نظر و در ولتاژهای بایاس اعمالی متفاوت شبیهسازی میکنیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد میرعلائی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
سعید عطابخش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
نجمه چراغی شیرازی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :