مدلسازی اثر انتقال حامل با استفاده از معادلات نرخ در وکسل با ساختار چاه کوانتمی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 515
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_747
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله، ما اثر انتقال حاملها در ساختار چاه کوانتمی ناحیه فعال یک وکسل AlGaAs/GaAs را مدلسازی میکنیم. باحل عددی معادلات نرخ، چگالی فوتونها و تراکم حاملها را در لایههای چاه کوانتمی ولایهی SCH را محاسبه و اثر پارامترهای مختلف را بر مشخصات استاتیک و دینامیک لیزر را بررسی میکنیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بهجت خادمی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
محمدرضا شایسته
هیات علمی ،دانشکده برق ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :