ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 517

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/404657

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_557

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد

کلیدواژه ها:

نویسندگان

سپهر ضرغامی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

علی نرگسی خجسته

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

محمدمهدی کارخانه چی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • حق شناس، علی فتحی پور، مرتضی؛ "بستگی اثرات خودگرمایی با ...
  • S. Adak, S. K. Swain, A. Singh, H. Pardeshi, S. ...
  • A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska; ...
  • Kenneth L. Holmes, _ _ Two _ dimen sional ...
  • Nitride/G allium Nitride HIGH Electron Mobility TRANS ISTOR" _ Naval ...
  • Yuan-Zheng Yue, Yue Hao, Jin-Cheng Zhang; "AlGaN/GaN MOS-HEM with Stack ...
  • Wang Chong, Ma Xiaohua, Feng Qian, Hao Yue , Zhang ...
  • W. D. Hu, X. S. Chen, Z. J. Quan, C. ...
  • Jorge A. Ferrer Perez; _ Theral Study Of A GaN-BASED ...
    • نمایش کامل مراجع