بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد

کلیدواژه های بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی:

ترانزیستورGaN-HEMT ، لایه موثرفلزی ، نقطه داغ

نویسندگان مقاله بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

سپهر ضرغامی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

علی نرگسی خجسته

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

محمدمهدی کارخانه چی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

حق شناس، علی فتحی پور، مرتضی؛ "بستگی اثرات خودگرمایی با ...

S. Adak, S. K. Swain, A. Singh, H. Pardeshi, S. ...

A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska; ...

Kenneth L. Holmes, _ _ Two _ dimen sional ...

Nitride/G allium Nitride HIGH Electron Mobility TRANS ISTOR" _ Naval ...

Yuan-Zheng Yue, Yue Hao, Jin-Cheng Zhang; "AlGaN/GaN MOS-HEM with Stack ...

Wang Chong, Ma Xiaohua, Feng Qian, Hao Yue , Zhang ...

W. D. Hu, X. S. Chen, Z. J. Quan, C. ...

Jorge A. Ferrer Perez; _ Theral Study Of A GaN-BASED ...

نمایش کامل مراجع

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/404657

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_557

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

ضرغامی، سپهر و نرگسی خجسته، علی و کارخانه چی، محمدمهدی،1394،بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران،https://civilica.com/doc/404657

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، ضرغامی، سپهر؛ علی نرگسی خجسته و محمدمهدی کارخانه چی)
برای بار دوم به بعد: (1394، ضرغامی؛ نرگسی خجسته و کارخانه چی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه رازی

نوع مرکز: دانشگاه دولتی

تعداد مقالات: 15,317

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

مقاله فارسی "بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی" توسط سپهر ضرغامی، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه؛ علی نرگسی خجسته، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه؛ محمدمهدی کارخانه چی، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستورGaN-HEMT ، لایه موثرفلزی ، نقطه داغ هستند. این مقاله در تاریخ 8 آذر 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 547 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.