طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 548
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_585
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله به طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز (LNA) باند باریک بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز برای کاربردوایمکس پرداخته شده است. در طراحی این LNA ، به منظور دستیابی به بهره ی بالا، از یک HJFET فوق کم نویز در توپولوژی سورس مشترک به صورت ساختار سه طبقه استفاده شده است. برای حداقل کردن عدد نویز تقویت کننده، شبکه ی تطبیق ورودی بهگونه ای طراحی شده که امپدانس دیده شده از ورودی به سمت منبع، برابر با امپدانس نویز بهینه گردد . شبکه های تطبیق با به کار گیری ترکیبی از خازن و خطوط انتقال مایکرواستریپ طراحی شده اند. پس از شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار ADS ، بهره وعدد نویز به ترتیب49/06و0/328 دسی بل توان مصرفی 101 میلی وات و ضرائب VSWR ورودی وخروجی به ترتیب 1/08 و1/1 بدست آمده اند دراینجا به منظور مقایسه عملکرد تقویت کننده دوضریب شایستگی FOM1وFOM2 به ترتیب 66/79و96/59 محاسبه شدند که نسبت به طرح های پیشین اختلاف محسوسی دارند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمحمدرضا ابطحی
دانشجو، کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران
نجمه چراغی شبرازی
مربی ، دکترای الکترونیک، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران
روزبه حمزه ئیان
مربی ، دکترای مخابرات، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :