Ab initio calculations of electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 665

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNN05_625

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

The structural, electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets were studied by employing an abinitio pseudo potential method and a linear response scheme, within the generalized gradient approximation. Thecalculated lattice constant, electronic band structure, partial and total density of states were determined in hexagonalstructure by using the Quantum-ESPRESSO ab initio simulation package based on pseudo potential method. Theresults show that CdS, CdSe,CdTe nano sheets are semiconductors and owing to their direct larg gap.

نویسندگان

Z Medhati

Departmentof physics,Computational physics Lab, Islamic Azad University Qom branch, Qom, Iran

F Kanjouri

Faculty of physics, University of Kharazmi, Tehran, Iran

H Tashakori

Departmentof physics,Computational physics Lab, Islamic Azad University Qom branch, Qom, Iran