ساختارشناسی و آنالیز کار های ترانزیستورهای با تحرک بالا الکترون

نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان FET است که طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو بالایی داشته باشد ازخصوصیات ویژه این ترانسفورماتور ضریب نویز کم درفرکانسهای بالا و مایکروویو است درفرکانسهای بالا و نوسان کننده های مایکروویو عملکرد بسیارمطلوبی دارد و میزان نویزپذیری آن را دراین مدارات بسیارپایین است مکانیسم کوانتومی این ترانزیستور مبتنی برنوع موادسازنده آن است که دونوع ازترانزیستور HEMT را میتوان با آن ساخت موادسازنده این ترانزیستور ازقبیل: گالیوم - آرسنیک - ایندیوم - فسفات - نیترات - آلومینیوم می باشد دونوع ترانزیستور pHEMT,mHEMT راداریم و میتوان باآنها مدارات فرکانس بالا را بانویز کم و توان بالا طراحی و شبیه سازی کنیم

کلیدواژه ها:

فرکانس مایکروو ، اپیتکسی ، گاف انرژی ، هتروجاکشن ، باند گپ