طراحی LNA بهره بالا درفرکانس 10 گیگاهرتز بااستفاده ازHJFET فوق کم نویز

در این مقاله، طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز (LNA) در فرکانس 01 گیگاهرتز نشان دادهشده است. در طراحی این LNA به منظور دستیابی به بهره ی بالا، از یک HJFET فوق کم نویز شرکت NEC به شماره ی NE32684 در توپولوژی سورس مشترک به صورت ساختار چهار طبقه استفاده شده است. برای حداقل کردن عدد نویز (Noise Figure) تقویت کننده، شبکه ی تطبیق ورودی به گونه ای طراحی شده که امپدانس دیده شده از ورودی به سمت منبع، برابر با امپدانس نویز بهینه (ZOPT) گردد. تمامی شبکه های تطبیق ورودی، میانی و خروجی با استفاده از خطوط انتقال مایکرواستریپ روی بستر RO3003 طراحی شده اند. پس از شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار ADS ، بهره و عدد نویز به ترتیب 53/2و0/5 دسیبل، توان مصرفی 041 میلی وات، و ضرائب VSWR ورودی و خروجی به ترتیب 1/96و1/01 بدست آمده اند دراینجا دو ضریب شایستگی FOM1 و FOM2 به ترتیب 80/9 و100/2 محاسبه شدند که نسبت به طرح های پیشین اختلاف محسوسی دارند

کلیدواژه ها:

01 گیگاهرتز ، تقویت کننده کم نویز بهره بالا ، توپولوژی سورس مشترک ، خطوط مایکرواستریپ ، HJFET