یک مالتی پلکسر بهینه شده سریع و کم مصرف با نویزپذیری پایین در تکنولوژی CNFET 32nm
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 926
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_443
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
چکیده مقاله:
دراین مقاله، طراحی و شبیه سازی یک مالتی پلکسر 4به 1 ارایه شده است که درآن ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی(CNFET) جایگزین ترانزیستورهای CMOS گردیده است. این مالتی پلکسر مبتنی بر تکنولوژی CNFET 32nm بوده و کاملا با فرآیندهای ساخت مدارهای مجتمع سازگار می باشد. در این مقاله مدار مالتی پلکسر یک بار با تکنولوژی 45 نانومتر باردیگر با تکنولوژی 32 نانو متر شبیه سازی شده است و نتایج حاصل، با نتایج شبیه سازی مدار طراحی شده با ترانزیستور های نانولوله کربنی مقایسه گردیده است. شبیه سازی مالتی پلکسر با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده و مقایسه نتایج حاصل از شبیه سازی مدار طراحی شده در تکنولوزی CNFET 32nm نسبت به تکنولوژی CMOS32nm نشان می دهد پاسخ فرکانسی 125.92 برابر افزایش داشته، توان مصرفی 68.08 برابر کاهش داشته است، سیستم ازنظر نویزپذیری پایدار است و زمان صعود 1.96 برابر کاهش داشته است که همگی نشان دهنده مزایای مدار طراحی شده می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیرا دمی زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس، دانشکده فنی و مهندسی، گروه الکترونیک بندرعباس، ایران
فرشاد بابازاده
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهر ری، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :