رشد تک بلور ژرمانیوم به روش چوخرالسکی و تعیین کیفیت آن

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,403

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BLUR01_006

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

رشد تک بلور ژرمانیوم به روش چوخرالکسی و تعیین مشخصه های اپتیکی و الکتریکی آن در مقاله حاضر ارائه گردیده است. پس از رشد تک بلور ژرمانیوم توسط یک دشتگاه چوخرالسکی، که توسط مولفین این مقاله طراحی و ساخته شده است، چگالی حک حفره ها بر واحد سطح که معرف نابجاییهاست، به روش سونش شیمیایی و توسط تجهیزات میکروسکوپی محاسبه گردید. پس از آن طیف عبوری یک برش از بلور گرفته شد و منحنی ولتاژ- جریان سطح آن نیز مورد آزمایش قرار گرفت. نتایج حاصل آزمایشات انجام شده، کیفیت اپتیکی و الکتریکی مناسب این بلور را تایید می کند.

نویسندگان

حیدر فری پور

تهران، پژوهشکده علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده مواد

مجتبی اسماعیل نیا

تهران، پژوهشکده علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده مواد

زهرا درریز

تهران، پژوهشکده علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده مواد

حسین کلباسی

تهران، پژوهشکده علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده مواد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • R.A.Laudise; _ Growth of Single Crystals"; Bell Telephone Laboratories Mullary ...
  • P.Dold : "Czochralski Growth of doped germanium with an applied ...
  • Peter.Caffer, 0Bulk Crystal Growth of Electronic Optical and Optoelectronic Materials; ...
  • K.Sangwal; "Etching of Crystals"; NewYork, North Holland (1998) ...
  • نمایش کامل مراجع