آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو

لایه نشانی مایل (OAD) لایه های نازک به روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی امکان تولید نانوساختارهای مختلف با ناهمسانگردی ساختاری را ایجاد کرده است. روش های OAD و Glancing angle deposition)GLAD) یعنی با تغییر زاویه تابش α و زاویه سمتی ϕ همراه با چرخش زیر لایه می توانند نانوساختارهایی با شکل های مختلف مانند مارپیچی، زیگزاگ، s شکل و شکل های دیگر تولید کنند. ساختارهای نانومجسمه سازی شده با این روش ها، کاربردهای زیادی در فیلترهای نوری، بلورهای نوری، کاتالیست ها، ذخیره مغناطیسی داده ها، میکروباتریها و میکروکانالها دارد. در این مقاله برای شبیه سازی نمونه های ساخته از روشی بنام تقریب دوقطبی مجزا استفاده شده است. در این روش نمونه را به صورت N دو قطبی نقطه ای که فاصله بین دوقطبی ها نسبت به طول موج بسیار کوچک باشد در نظر می گیریم. هر دوقطبی دارای قطبش نوسانی است که ناشی از موج تخت تابشی و میدانهای الکتریکی ناشی از دوقطبی های دیگر است و می توان جذب و پراکندگی را بر اساس معادلات الکترودینامیک کلاسیک و با توجه به اندرکنش های میدان الکتریکی تابشی و دوقطبی های دیگر به دست آورد. در این مقاله تصمیم داریم تا با روش تقریب دوقطبی مجزا هندسه نانوساختارهایی که توسط روش OAD و GLAD ساخته می شوند را شبیه سازی کنیم چون یکی از عوامل مهم که باعث تغییر ویژگی های الکتریکی و اپتیکی این نانوساختارها می شود هندسه آنها است. سپس نمونه های شبیه سازی شده را با تصاویر SEM نمونه های ساخته شده مقایسه می کنیم.

کلیدواژه ها:

نانوساختارها ، تقریب دوقطبی مجزا ، لایه نشانی ، فرایند GLAD