بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت و بهینه سازی مکان آن در کانال های حاوی نانو سیالات مغناطیسی

جهت تسریع و بهبود انتقال حرارت درسیستم های مختلف، روش های متعددی ارایه و پیشنهاد شده است . در اینکار پژوهشی، سعی شده است با استفاده از جریان نانو سیالات حساس به میدان مغناطیسی، انتقال حرارت جابهجایی اجباری در حضور میدان مغناطیسی، مورد مطالعه و تحلیل قرار گیرد . سیستم مورد بررسی یک کانال افقی دو بعدی است که دیوارههای آن در دمای ثابت قرار داشته و منبع مغناطیسی به صورت دو قطبی مغناطیسی عمود بر جهت عبور جریان قرار گرفته است. بررسیها نشان میدهد که وجود المان مغناطیسی سبب افزایش عدد ناسلت متوسط میشود و با بالارفتن شدت میدان این افزایش بیشتر می گردد . هم چنین مشاهده شد بیشترین اثر میدان روی عدد ناسلت هنگامی اتفاق می افتد که تنها از یک المان مغناطیسی با کل توان و آن هم در وسط کانال استفاده گردد

کلیدواژه ها:

نانوسیال مغناطیسی ، میدان مغناطیسی ، انتقال حرارت جابهجایی اجباری ، بهینه سازی