A review on the performance of the fourth fundamental bilateral circuit element (memristor) in different circuits
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,213
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TDCONF01_124
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
چکیده مقاله:
The present study considers the reviews done on memristor in the recent years, and also investigates three different models of memristor structure including linear, non-linear and the performance of memristor in high-chaos circuits. As the results of the simulation indicate non-linear model has a better performance than linear one. Two distinct features of memristor include low power consumption and its capability to have a memory
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Rasoul Rahmatian
Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran
Hamed Rahimzadeh
Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Kermanshah Branch, Islamic Azad.University, Kermanshah, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :