ترانزیستور های مسطح و سه بعدی و اثرات آن ها در فرکانس های بالا و پایین و نشت جریان در مدارات

این مقاله با بررسی ساختار درونی ترانزیستور های BJT و FET اثراتی که بر مدارات الکترونیکی می گذارند را بررسی کرده و مدلی برای جایگزینی ترانزیستور HBT برای بهبود رسانایی خروجی با مقیاس نانو متری ارئه می دهد و می توان گفت که با جایگزینی این ترانزیستور ها در مدارات با تقویت بسیار بالا نویز بسیار کمتری خواهیم داشت. نتایج شبیه سازی مداری اثرات این ترانزیستور ها بیان شده است. ترانزیستور HBTدر دریافت کننده های مدار مجتمع نوری استفاده می شود. در این تحقیق آنالیز رفتار نویز در ترانزیستور های مسطح ارائه می گردد. در این امر نسبت سیگنال به نویز در خروجی و نویز ها در فرکانس های بالا و پایین مورد بررسی قرار می گیرند. در ادامه نسل نوین ترانزیستور ها معرفی می گرددکه با عبارت سه بعدی شناخته می شوند زیرا می توانند در سه جهت فعالیت کنند،که این مدل از ترانزیستور ها با افزایش کارایی نسبت به نسل قبل خود به انرژی کمتری برای کارایی مشابه نیاز دارند زیرا در این ترانزیستور ها با افزایش القا کاهش نشت الکترونی در مدار ها را خواهیم داشت. این روش با اینکه چندان پیچیده به نظر نمی رسد اما عملکرد قابل توجهی دارد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور HBT ، بهبود رسانایی ، مدار مجتمع نوری ، ترانزیستور سه بعدی ، ترانزیستور مسطح ، نشت الکترونی