مشخصه یابی لایه نانومتری اکسید ایندیوم آلاییده باقلع

در این پژوهش لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بسترهی شیشه ای تمییز شده در دمای اتاق تهیه شد و سپس لایه در دمای 300°c به مدت 1ساعت در مجاورت هوا بازپخت شد. ویژگی های فازی لایه به وسیله ی پراش اشعه ی ایکس (XRD) مورد بررسی قرار گرفت.تحلیل مورفولوژی سطح لایه توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) انجام پذیرفت. همچنین با استفاده از طیف سنج نوری طیف های نوری بازتاب و تراگسیل در محدودهی طول موجی 2500-250 نانومتر ثبت شد. نتایج حاصل از XRD ساختار بلوری بعد از باز پخت و ساختار بیشکل قبل از آن را تأیید میکند. اندازه گیریهای طیف سنجی شفافیت بالای 80 %را در ناحیهی مرئی نشان میدهد. همچنین خواص اپتیکی لایه با استفاده روشکرامرز-کرونینگ مورد بررسی قرار گرفت.

کلیدواژه ها:

اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ، تبخیر با پرتو الکترونی ، خواص اپتیکی ، لایه نازک ، ویژگی های فازی