شبیه سازی تداخل الکترومغناطیسی هدایتی مدمشترک در مبدل رزونانسی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 616
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE03_143
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1394
چکیده مقاله:
[توضیح سیویلیکا: به دلیل اینکه تعداد صفحات این مقاله کمتر از 5 صفحه می باشد در پایگاه CIVILICA به صورت مقاله بدون اصل مقاله نمایه شده است] عملکرد سوئیچینگ، در مبدلهای قدرت، باعث ایجاد تداخل الکترومغناطیسی (EMI) می شود. تداخل الکترومغناطیسی، عامل نامطلوبی است که منجر به اختلال در عملکرد عادی وسایل الکترونیکی می گردد. یکی از عوامل ایجاد تداخل الکترومغناطیسی حضور خازن های پارازیتی در مدار می باشد. در این مقاله با استفاده از یک مبدل نیمپل رزونانسی با مشخصات 100v/15v, 100kHz, 100W و لحاظ کردن خازن های پارازیتی مهم، مبدل از نظر تداخل الکترومغناطیسی هدایتی بررسی می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهتا سادات اشرفی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمد روح الله یزدانی
استادیارگروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد اصفهان (خوراسگان)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :