بررسی نویز گرمایی در تقویت کننده های تفاضلی CMOS با حذف نویز و بهره بالا
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,005
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE03_079
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1394
چکیده مقاله:
در دنیای فعلی و تکنولوژی که در حال حاضر ابزارهای مخابراتی و انتقال داده ای از آن بهره می گیرند، قطعات هادی و نیمه هادینقش اساسی را در ساخت این ابزارها بر عهده دارند. نویز حرارتی، یکی از عوامل گریز ناپذیر در این عرصه است. زیرا مادامی که الکترون ها در قطعات حرکت می کنند، سبب ایجاد گرما شده و آن نیز موجب ایجاد نویز حرارتی می شود.این مقاله تقویت کننده های پیشنهادی CMOS سال های اخیر را که با استفاده از تکنیک های افزایش (g(m و حذف نویز طراحی شده است را با تقویت کننده های مشابه آن، در میزان نویز ورودی و توان خروجی در فرکانس [0-3]GHz و با منبع نویز 2µV بررسی می نماید.
کلیدواژه ها:
تقویت کننده تفاضلی – حذف نویز – ضریب نویز- نویز گرمایی
نویسندگان
نوید محمدیان
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اصفهان (خوراسگان)
امیرحسین دباغی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اصفهان (خوراسگان)
محمد روح الله یزدانی
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان