بررسی تاثیر موقعیت و ساختار نواقص اتمی شبکه بر میزان گاف انرژی نانو نوار های گرافین

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 642

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SENACONF01_191

تاریخ نمایه سازی: 25 فروردین 1394

چکیده مقاله:

نانو نوار گرافین 1 نیمه رسانایی ست که به دلیل خواص منحصر به فردش تبدیل به یکی از مواد پر طرفدار در ساخت قطعات الکترونیکی شده است، . جدید بودن این ماده نقطه های کوری در شناخت آن فراهم آورده است که یکی ازآن ها تاثیرات عوامل فیزیکی بر آن هاست. از مهم ترین نظریه ها در مورد نانو نوار گرافینی تاثیر ایجاد نواقص اتمی شبکه بر روی میزان رسانایی آن است که قابلیت ساخت ترانزیستور هایی در ابعاد نانو را فراهم می کند.در این مقاله که بر اساس ایجاد نقص در شیت نانو نوار کار شده، با ارائه مدلی جدید به نام مثلث چهار اتمی در گوشه نانو نوار میزان گاف انرژی را کاهش داده و به مقادیر منفی رسانده ایم که این امر به معنای تبدیل شدن به رساناست.

نویسندگان

زینب جوکارکوهنجانی

کارشناسی ارشد برق-الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • حسن ربانی، آزاده مظلوم شهرکی؛ دانشگاه شهر کرد، دانشکده علوم، ...
  • L. Rosales, 1, 5 M. Pacheco, 1, Z. Barticevic, 1 ...
  • Uwe Treske, Frank Ortmann, Bjo: rn Oetzel, Karsten Hannewald*, and ...
  • H. Unlu (1992), A Therm odynamic Model for Determining Pressure ...
  • Center for Materials and Nano science, vol. NE 68588, 2008 ...
  • نمایش کامل مراجع